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GISETCH®是北京丹普公司的注冊商標，是氣體離子刻蝕及輔助沉積技術的簡稱，基本原理如下：
① 在涂層前，利用GIS氣體離子源將氬氣和氫氣離化，產生的氣體離子（Ar+和H+）在偏壓作用下，對產品表面進行刻蝕清洗；
② 在涂層中，利用GIS氣體離子源將氬氣、氮氣、氧氣等反應氣體離化，輔助濺射或電弧沉積；
GISETCH®的優點如下：
① 氣體等離子體能量范圍寬，可強可弱，適用于各種類型的工件；
② 有效去除表面氧化層，刻蝕清洗效果更徹底，膜基結合力好；
③ 輔助沉積，有利于涂層致密性、改善鍍膜均勻性；
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